Même s’il n’est pas attendu avant la fin de l’année, le successeur du Snapdragon 8 Gen 3 est déjà en vue. Des sources ont signalé l’utilisation du processus de gravure TSMC 3 nm, qui devrait offrir une efficacité et des performances supérieures à celles du processus 4 nm, que Qualcomm utilise depuis plusieurs années. Blogger Digital Chat Station a également annoncé la fréquence, qui atteindrait pour la première fois 4,0 GHz par rapport aux 3,30 GHz actuels. Pour ce faire, Qualcomm s’appuierait sur des cœurs Oryon que certains présentent comme des « M2 Killer ». Reste à savoir si elle tiendra tête à son successeur, le M3, dont les performances augmenteraient de 20 %.
Des progrès à deux chiffres ?
Quoi qu’il en soit, de nouvelles révélations montrent les performances du Snapdragon 8 Gen 4 qui aurait été repéré sur Geekbench : les scores sont pour le moins impressionnants à 2845 en monocœur et 10 628 en multicœur. A titre de comparaison, le Snapdragon 8 Gen 3 culmine à 2 300 en monocœur et à 7 500 en multicœur, ce qui équivaut à une augmentation de 23 % et 41 % respectivement. De toute évidence, ces chiffres doivent être pris avec des pincettes ; la source n’est pas vérifiée ; il pourrait très bien s’agir d’un prototype utilisé en interne ou simplement d’un assemblage.
